Hajdel, M.; Chlipała, M.; Siekacz, M.; Turski, H.; Wolny, P.; Nowakowski-Szkudlarek, K.; Feduniewicz-Żmuda, A.; Skierbiszewski, C.; Muziol, G.
Dependence of InGaN Quantum Well Thickness on the Nature of Optical Transitions in LEDs. Materials 2022, 15, 237.
https://doi.org/10.3390/ma15010237
AMA Style
Hajdel M, Chlipała M, Siekacz M, Turski H, Wolny P, Nowakowski-Szkudlarek K, Feduniewicz-Żmuda A, Skierbiszewski C, Muziol G.
Dependence of InGaN Quantum Well Thickness on the Nature of Optical Transitions in LEDs. Materials. 2022; 15(1):237.
https://doi.org/10.3390/ma15010237
Chicago/Turabian Style
Hajdel, Mateusz, Mikolaj Chlipała, Marcin Siekacz, Henryk Turski, Paweł Wolny, Krzesimir Nowakowski-Szkudlarek, Anna Feduniewicz-Żmuda, Czeslaw Skierbiszewski, and Grzegorz Muziol.
2022. "Dependence of InGaN Quantum Well Thickness on the Nature of Optical Transitions in LEDs" Materials 15, no. 1: 237.
https://doi.org/10.3390/ma15010237
APA Style
Hajdel, M., Chlipała, M., Siekacz, M., Turski, H., Wolny, P., Nowakowski-Szkudlarek, K., Feduniewicz-Żmuda, A., Skierbiszewski, C., & Muziol, G.
(2022). Dependence of InGaN Quantum Well Thickness on the Nature of Optical Transitions in LEDs. Materials, 15(1), 237.
https://doi.org/10.3390/ma15010237
