Article Versions Notes

Wojtasiak W, Góralczyk M, Gryglewski D, Zając M, Kucharski R, Prystawko P, Piotrowska A, Ekielski M, Kamińska E, Taube A, et al. AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Semi-Insulating Ammono-GaN Substrates with Regrown Ohmic Contacts. Micromachines. 2018; 9(11):546. https://doi.org/10.3390/mi9110546

Wojtasiak, Wojciech, Marcin Góralczyk, Daniel Gryglewski, Marcin Zając, Robert Kucharski, Paweł Prystawko, Anna Piotrowska, Marek Ekielski, Eliana Kamińska, Andrzej Taube, and et al. 2018. "AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Semi-Insulating Ammono-GaN Substrates with Regrown Ohmic Contacts" Micromachines 9, no. 11: 546. https://doi.org/10.3390/mi9110546

Wojtasiak, W., Góralczyk, M., Gryglewski, D., Zając, M., Kucharski, R., Prystawko, P., Piotrowska, A., Ekielski, M., Kamińska, E., Taube, A., & Wzorek, M. (2018). AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Semi-Insulating Ammono-GaN Substrates with Regrown Ohmic Contacts. Micromachines, 9(11), 546. https://doi.org/10.3390/mi9110546