Article Versions Notes

Schilirò E, Fiorenza P, Lo Nigro R, Galizia B, Greco G, Di Franco S, Bongiorno C, La Via F, Giannazzo F, Roccaforte F. Al₂O₃ Layers Grown by Atomic Layer Deposition as Gate Insulator in 3C-SiC MOS Devices. Materials. 2023; 16(16):5638. https://doi.org/10.3390/ma16165638

Schilirò, Emanuela, Patrick Fiorenza, Raffaella Lo Nigro, Bruno Galizia, Giuseppe Greco, Salvatore Di Franco, Corrado Bongiorno, Francesco La Via, Filippo Giannazzo, and Fabrizio Roccaforte. 2023. "Al₂O₃ Layers Grown by Atomic Layer Deposition as Gate Insulator in 3C-SiC MOS Devices" Materials 16, no. 16: 5638. https://doi.org/10.3390/ma16165638

Schilirò, E., Fiorenza, P., Lo Nigro, R., Galizia, B., Greco, G., Di Franco, S., Bongiorno, C., La Via, F., Giannazzo, F., & Roccaforte, F. (2023). Al₂O₃ Layers Grown by Atomic Layer Deposition as Gate Insulator in 3C-SiC MOS Devices. Materials, 16(16), 5638. https://doi.org/10.3390/ma16165638