Stępniak, M.; Wośko, M.; Prażmowska-Czajka, J.; Stafiniak, A.; Przybylski, D.; Paszkiewicz, R.
Growth Uniformity in Selective Area Epitaxy of AlGaN/GaN Heterostructures for the Application in Semiconductor Devices. Electronics 2020, 9, 2129.
https://doi.org/10.3390/electronics9122129
AMA Style
Stępniak M, Wośko M, Prażmowska-Czajka J, Stafiniak A, Przybylski D, Paszkiewicz R.
Growth Uniformity in Selective Area Epitaxy of AlGaN/GaN Heterostructures for the Application in Semiconductor Devices. Electronics. 2020; 9(12):2129.
https://doi.org/10.3390/electronics9122129
Chicago/Turabian Style
Stępniak, Michał, Mateusz Wośko, Joanna Prażmowska-Czajka, Andrzej Stafiniak, Dariusz Przybylski, and Regina Paszkiewicz.
2020. "Growth Uniformity in Selective Area Epitaxy of AlGaN/GaN Heterostructures for the Application in Semiconductor Devices" Electronics 9, no. 12: 2129.
https://doi.org/10.3390/electronics9122129
APA Style
Stępniak, M., Wośko, M., Prażmowska-Czajka, J., Stafiniak, A., Przybylski, D., & Paszkiewicz, R.
(2020). Growth Uniformity in Selective Area Epitaxy of AlGaN/GaN Heterostructures for the Application in Semiconductor Devices. Electronics, 9(12), 2129.
https://doi.org/10.3390/electronics9122129