Gutowski, P.; Sankowska, I.; Słupiński, T.; Pierścińska, D.; Pierściński, K.; Kuźmicz, A.; Gołaszewska-Malec, K.; Bugajski, M.
Optimization of MBE Growth Conditions of In0.52Al0.48As Waveguide Layers for InGaAs/InAlAs/InP Quantum Cascade Lasers. Materials 2019, 12, 1621.
https://doi.org/10.3390/ma12101621
AMA Style
Gutowski P, Sankowska I, Słupiński T, Pierścińska D, Pierściński K, Kuźmicz A, Gołaszewska-Malec K, Bugajski M.
Optimization of MBE Growth Conditions of In0.52Al0.48As Waveguide Layers for InGaAs/InAlAs/InP Quantum Cascade Lasers. Materials. 2019; 12(10):1621.
https://doi.org/10.3390/ma12101621
Chicago/Turabian Style
Gutowski, Piotr, Iwona Sankowska, Tomasz Słupiński, Dorota Pierścińska, Kamil Pierściński, Aleksandr Kuźmicz, Krystyna Gołaszewska-Malec, and Maciej Bugajski.
2019. "Optimization of MBE Growth Conditions of In0.52Al0.48As Waveguide Layers for InGaAs/InAlAs/InP Quantum Cascade Lasers" Materials 12, no. 10: 1621.
https://doi.org/10.3390/ma12101621
APA Style
Gutowski, P., Sankowska, I., Słupiński, T., Pierścińska, D., Pierściński, K., Kuźmicz, A., Gołaszewska-Malec, K., & Bugajski, M.
(2019). Optimization of MBE Growth Conditions of In0.52Al0.48As Waveguide Layers for InGaAs/InAlAs/InP Quantum Cascade Lasers. Materials, 12(10), 1621.
https://doi.org/10.3390/ma12101621